陶瓷霧化片 Atomization Piece
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壓電晶體當(dāng)受特定方向擠壓或拉伸時(shí),它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。根據(jù)效應(yīng)情況不同,分為正壓電效應(yīng)與逆壓電效應(yīng)。貼片晶振主要是用于電路中的時(shí)鐘模塊,來提供相應(yīng)的時(shí)鐘基準(zhǔn),常見的應(yīng)用主要是嵌入式設(shè)計(jì),如FPGA、DSP等開發(fā)板中。
美國(guó)艾博康晶振,ABM8W-13.0625MHZ-6-J2Z-T3晶振,13.0625MHZ晶振超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.
低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時(shí)鐘或電壓控制晶體振蕩器(VCXO)解決方案標(biāo)準(zhǔn)尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動(dòng)20MHz帶寬@ 100MHz載波,ABLNO是性能驅(qū)動(dòng)的理想選擇通訊,射頻,無(wú)線回程,和儀器應(yīng)用。
Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)(PAS)由我們的工程師設(shè)計(jì),可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)做出正確的選擇。 PAS測(cè)試驗(yàn)證了電路中的石英晶體性能,同時(shí)測(cè)量晶體,晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應(yīng)。測(cè)試系統(tǒng)中所有變量的帳戶,并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實(shí)現(xiàn)理想的匹配。這對(duì)于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術(shù)尤其重要。
較低的CL和較低的ESR提高了回路的運(yùn)行增益裕度,確保了所有變量的持續(xù)振蕩,包括偏差,負(fù)載,溫度和時(shí)間變化。 Gm_critical是晶體必須實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵跨導(dǎo)值,以保持在環(huán)路運(yùn)行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的晶體與Pierce振蕩器不匹配,并可能導(dǎo)致與啟動(dòng)相關(guān)的長(zhǎng)期可靠性問題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical,部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應(yīng)用中的節(jié)能設(shè)計(jì)最有可能發(fā)生故障。進(jìn)行PAS測(cè)試可降低風(fēng)險(xiǎn)并提高系統(tǒng)的可靠性。
Abracon工程副總裁Syed Raza評(píng)論說:“半導(dǎo)體技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來,芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益,對(duì)gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響。 PAS測(cè)試是診斷可預(yù)防問題的最可靠的方法。“
“作為IoT™的心跳,我們力求為客戶提供盡可能多的工具和服務(wù),將其設(shè)計(jì)帶入下一個(gè)低功率平臺(tái)。 Abras的營(yíng)銷總監(jiān)Juan Conchas評(píng)論說,PAS測(cè)試服務(wù)可以在設(shè)計(jì)中對(duì)關(guān)鍵子系統(tǒng)進(jìn)行驗(yàn)證,因?yàn)槿绻袷幤鳠o(wú)法運(yùn)行,沒有任何操作。
什么使IoT打勾? Abracon的低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低負(fù)載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。 在降低功耗的競(jìng)爭(zhēng)中,許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動(dòng),通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩。 Abracon的最新系列用于微功率應(yīng)用的石英晶體振蕩器克服了這些挑戰(zhàn)。

ABRACON晶振 | ABM8W-13.0625MHZ-6-J2Z-T3晶振 | ||
Series | 系列 | ABM8W | |
Frequency | 頻率 | 13.0625 MHz | |
Operating Temperature | 工作溫度 | -40°C ~ 105°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
Type | 類型 | MHz Crystal | |
Length | 長(zhǎng) | 3.2mm | |
Width | 寬 | 2.5mm | |
Load Capacitance | 負(fù)載電容 | 6 pF | 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,0755-27876565 |
Frequency Stability | 頻率穩(wěn)定性 | ± 50 ppm | |
Frequency Tolerance | 頻率容差 | ± 20 ppm | 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,0755-27876565 |
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美國(guó)艾博康晶振,ABM8W-13.0625MHZ-6-J2Z-T3晶振,13.0625MHZ晶振
1.沖擊和振動(dòng)
請(qǐng)勿施加過大的沖擊,如運(yùn)輸,基板安裝或意外跌落敲擊超過規(guī)定的機(jī)械振動(dòng),否則,可能會(huì)導(dǎo)致晶片破裂或損壞所用部件導(dǎo)致無(wú)法使用,施加超過規(guī)定的沖擊,振動(dòng)時(shí),請(qǐng)務(wù)必進(jìn)行特性確定。
2,清洗
京瓷晶振在進(jìn)行超聲波清洗的時(shí)候晶片有時(shí)會(huì)被工振破壞,進(jìn)行超聲波清洗時(shí),請(qǐng)務(wù)必事先確認(rèn)。
3.焊接條件
為提供產(chǎn)品的可靠性,請(qǐng)?jiān)诮ㄗh條件的范圍內(nèi)使用
4.貼片注意事項(xiàng)
基板的焊盤和產(chǎn)品的電極在表面上焊接,極端的基板變形會(huì)導(dǎo)致焊盤剝落,產(chǎn)品電極剝落,焊料龜裂和產(chǎn)品封裝部分的損壞,性能可能會(huì)下降導(dǎo)致無(wú)法工作,請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的彎曲條件下使用,特別是在貼片后拆分板時(shí),如果您產(chǎn)品貼裝在基板上的經(jīng)線很大的位置,請(qǐng)小心。使用自動(dòng)貼裝機(jī)時(shí),請(qǐng)盡量選擇沖擊小的機(jī)型,確認(rèn)沒有破損后在使用。3225表面貼裝晶振原件不支持波峰焊接,請(qǐng)小心輕放。
5.存儲(chǔ)
長(zhǎng)時(shí)間的高溫和低溫的保管以及高溫度的保管,會(huì)導(dǎo)致頻率精度的劣化和焊接性的劣化,存儲(chǔ)場(chǎng)所請(qǐng)保證溫度,濕度為-5°C+40°C,且相對(duì)濕度為40-60%RH,并且請(qǐng)遠(yuǎn)離直射,在6個(gè)月以內(nèi)使用。
6.其它設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
(1)時(shí)鐘晶體振蕩器采用CM0S集成電路(CMOS-IC),內(nèi)置防靜電保護(hù)電路,與普通CMOS集成電路一樣,請(qǐng)多加注意。
(2)電源和接地之間(+DC-GND)沒有內(nèi)部電容,然而KC7050S系列在VCC-GND之間有旁路電容,為了防止施加過大電壓和防止過電流,請(qǐng)將旁路電容(0.01uF)放置在盡可能靠近(+DC-GND)端子的位置,但是容量是參考值,頻率特性因電容類型而異,請(qǐng)使用適當(dāng)?shù)念l率特性的電容器。
(3)因?yàn)槭┘臃聪螂妷嚎赡軙?huì)引起內(nèi)部損壞,所以請(qǐng)注意不要接錯(cuò)端腳。
(4)請(qǐng)不要在振動(dòng)或沖擊條件超過產(chǎn)品目錄或交貨規(guī)格書規(guī)定范圍的極端情況下使用本振蕩器。
(5)請(qǐng)勿將本振蕩器直接暴露于水或鹽水,產(chǎn)生結(jié)露狀態(tài)的環(huán)境,或充滿有毒氣體的環(huán)境中。
(6)KC7050S系列需要進(jìn)行吸濕管理。開封后請(qǐng)?jiān)诜莱杯h(huán)境(25±5°C,65%RH以內(nèi))中保存,7天以內(nèi)安裝。
(7)Cl0ck Z系列和MC-Z系列如果在操作時(shí)遇到陽(yáng)光直射或LED等光線,則在此期間可能會(huì)發(fā)生頻率波動(dòng)。請(qǐng)?jiān)诳紤]到遮關(guān)的設(shè)計(jì)以及環(huán)境中使用。另外,如果在遮光的環(huán)境下使用,頻率不會(huì)發(fā)生變動(dòng)。
美國(guó)Abracon晶振將:美國(guó)艾博康晶振,ABM8W-13.0625MHZ-6-J2Z-T3晶振,13.0625MHZ晶振
通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。
通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開。
Abracon晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
過去Abracon晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。
Abracon晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防。為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架。通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持。
Abracon晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng)。 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。

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公司:深圳市億金電子有限公司
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